6月25日，国家第三代半导体技术创新中心发展战略研讨会暨第一届专家委员会会议召开。中国科学院院士、国家第三代半导体技术创新中心主任郝跃，中国科学院院士江风益，中国工程院院士欧阳晓(线上)，中国科学院院士杨德仁（线上），江苏省科技厅二级巡视员景茂，苏州工业园区党工委委员、管委会副主任倪乾等出席会议。会议由中科院苏州纳米所副所长、江苏第三代半导体研究院院长徐科主持。

今年1月，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地在苏州纳米城开工，项目首期占地105亩，总建筑面积超20万m²，其中汉天下电子研发中心总建筑面积约1.7万平方米，规划建设8英寸体声波滤波器及射频模组生产厂房，主要包括高频滤波器研发生产线、射频模组封装线、产品性能测试实验室等，拟作为苏州汉天下未来的器件工艺研发和生产制造中心。

苏州汉天下电子有限公司的研发立项始于2012年的贵州中科汉天下电子有限公司，专注于射频前端芯片及模组的设计、研发、生产和销售，核心团队来自国内外著名高校，在国内率先掌握体声波滤波器量产技术，并致力于解决高端体声波滤波器芯片长期被国外垄断的现状。

汉天下注重自主创新及知识产权保护，长期致力于全方位专利布局，累计申请知识产权近200件。并凭借其多年积累的自主技术，攻克核心产品关键工艺并系统掌握器件结构与性能参数的关系，完成了从实验室的科研试验到工厂的大批量重复生产及产品销售的过程，截至2022年10月，汉天下已累计销售出货超过2亿颗。同时，公司已规划并成功引进有源团队研发人员，开展射频前端模组研发。

近年来公司先后承担了“国家02重大专项”、“国家自然基金项目”、江苏省科技前瞻项目；荣获国家高新技术企业及江苏省民营科技企业资质；核心团队陆续获得苏州市顶尖人才团队、江苏省双创领军人才、苏州市魅力科技团队等多项人才奖项；同时，公司核心产品先后获得第十五届“中国芯”优秀技术创新产品奖、2021年度“硬核中国芯”最佳射频芯片奖等奖项。